60年代末、70年代初，我国在集成电路技术的研究上刚刚起步，只是对双极型小规模集成电路开始进行研制和少量生产。当时,国外MOS电路发展很快，与双极型电路相比，MOS集成电路具有电路简单、功耗低、集成度高的优势，而国内MOS集成电路技术的研究开发上还存在不少困难。一个困难是MOS器件很容易被静电击穿，有人形容说：“MOS、MOS，一摸就死”；另一个难点是MOS器件栅氧化层电荷不易控制，因而大大影响了MOS电路的可生产性与工作稳定性。所以，大家对MOS集成电路的发展前途仍有很多疑虑。

在这样的形势下，半导体车间的徐葭生同志带领十几个中青年教师，从1970年开始，毅然投入了我国MOS集成电路研究开发与应用推广的事业。在当时缺乏技术资料和工艺设备、生产条件十分落后的情况下，大家自力更生、团结奋斗，从工艺和电路设计上解决了栅氧化层电荷与静电损伤保护问题，为MOS集成电路在我国的发展扫清了技术障碍。在此基础上，开发研制成功了中小规模MOS数控系列电路，包括了计数器、寄存器、译码器及各种触发器、门电路等，并进行了小量生产。为了使这些电路得到推广，他们还制作了频率计、数码显示等多种应用部件，到有关单位演示，帮助解决应用中的技术问题。这样，终于使MOS集成电路得到社会认可。在此期间先后接产此数控系列电路的有，北京半导体器件五厂、前门器件厂、上海元件五厂、天津第一半导体厂、石家庄半导体器件厂、保定无线电二厂等。这些数控系列电路在相当长一段时间内成了不少半导体厂的主打产品。清华半导体车间除了派人传授、推广技术之外，还多次举办短训班，帮助这些企业培养生产技术骨干。可以说，清华的半导体车间成为了我国MOS集成技术最早的发源地。

在成功开发、推广中小规模MOS数控系列电路的基础上，半导体车间又进一步向中大规模MOS集成电路进军，先后研制成功050台式计算机(器)全套电路，2240位96字符发生器和1KDRAM等多种大规模集成电路。从1970年开始直至1976年以后相当长的时期内，清华在国内一直保持着MOS集成电路技术的最高水平。