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热解氮化硼具体应用

2018/06/19120 作者:佚名
导读: 半导体单晶及III-V族化合物合成用的坩埚、基座:原位合成GaAs、InP、GaP单晶的LEC系列坩埚。分子束外延用的MBE系列坩埚。VGF、VB法系列坩埚。PBN/PG复合加热器涂层。石墨加热器绝缘涂层。高温绝缘流体喷嘴。MOCVD绝缘板。异形坩埚及异形石墨件涂层。晶片退火工艺用复合加热器。

半导体单晶及III-V族化合物合成用的坩埚、基座:

原位合成GaAs、InP、GaP单晶的LEC系列坩埚。

分子束外延用的MBE系列坩埚。

VGF、VB法系列坩埚。

PBN/PG复合加热器涂层。

石墨加热器绝缘涂层。

高温绝缘流体喷嘴。

MOCVD绝缘板。

异形坩埚及异形石墨件涂层。

晶片退火工艺用复合加热器。

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