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半导体光电子器件基本物理过程

2018/06/19182 作者：佚名
导读： 从能带论的观点出发，半导体中电子状态的分布如图1,常温下低能量的带(价带)中的状态基本上为价电子所填充，高能量的带(导带)中的状态则空着，二者之间被宽度为Eg的禁带所隔离。在此情况下半导体的导电特性很差，只有出现在导带中的电子或价带中的空态(空穴)才能在外场驱使下参与导电。半导体光电子器件

从能带论的观点出发，半导体中电子状态的分布如图1,常温下低能量的带(价带)中的状态基本上为价电子所填充，高能量的带(导带)中的状态则空着，二者之间被宽度为Eg的禁带所隔离。在此情况下半导体的导电特性很差，只有出现在导带中的电子或价带中的空态(空穴)才能在外场驱使下参与导电。半导体光电子器件

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