现在实际应用的DR,已覆盖2~50GH:的宽频率范围,随着最新研制的尺寸适宜的同轴筒状DR的出现,使频率又向下端扩展大约500MH2。向使用频率的低端扩展,将使DR的尺寸越来越大(除非出现新的高性能、高。r的材料),从而失去使用的意义(因为使用DR就是为了达到小型化高性能)。向覆盖频率的高端扩展将导致DR的Q值锐减到不能允许的程度,失去使用意义。其次,由放DR的体积随之变小,将导致与电路之间失去有效的祸合。除非有新材料出现,否则这两项就是向频率高端扩展难以跨越的限制。DR在电气性能上大致和高Q金属腔体相当,但在同一频率下的体积比金属腔小得多(线尺寸缩小√ɛ倍),这是DRo微波源小型化优越条件之一。具有适用。r的DR,总要存在一定的辐射损耗,适当的屏蔽可相对的减少损耗且必不可少,这意味着相应地提高了Q值。刚好,使用DR构成集成的振荡器,必有一个封装机壳,其机壳正好可作为屏蔽盒 。
