1.选用低噪声元、器件

在放大或其他电路中，电子元、器件的内部噪声起着重要作用。因此，改进电子元、器件的噪声性能和选用低噪声的电子元、器件，就能大大降低电路的噪声系数。

对晶体管而言，应选用rb(rbb’)和噪声系数N_F小的管子(可由手册查得，但N_F必须是高频工作时的数值)。除采用晶体管外，还广泛采用场效应晶体管做放大器和混频器，因为场效应晶体管的噪声电平低，尤其是最近发展起来的砷化镓金属半导体场效应晶体管(MESFET)，它的噪声系数可低到0.5～1dB。

在电路中，还必须谨慎地选用其他能引起噪声的电路元件，其中最主要的是电阻元件，宜选用结构精细的金属膜电阻。

2.正确选择晶体管放大级的静态工作点

图10.3.4为某晶体管的N_F与I_EQ的变化曲线。从图中可以看出，对于一定的信号源内阻R_S，存在着一个使N_F最小的最佳电流I_EQ值。因为I_EQ改变时，直接影响晶体管的参数。当参数为某一值，满足最佳条件时，可使N_F达到最小值。如I_EQ太小，晶体管功率增益太低，使N_F上升；如I_EQ太大，又由于晶体管的散粒和分配噪声增加，也使N_F上升。所以I_EQ为某一值时，N_F可以达到最小。从图10.3.4中还可看出，对于不同的信号源内阻R_S，最佳的I_EQ也不同图10.3.4晶体管的N_F与I_EQ的关系曲线

当然，N_F还分别与晶体管的V_CBQ和C_CEQ有关，但通常V_CBQ和C_CEQ对N_F的影响不大。电压低时，N_F略有下降。

3.选择合适的信号源内阻R_S

信号源内阻R_S变化时，也影响N_F的大小。当R_S为某一最佳值时，N_F可达到最小。晶体管共发射极和共基极电路在高频工作时，这个最佳内阻为几十到几百欧(当频率更高时，此值更小)。在较低频率范围内，这个最佳内阻为500～2000Ω，此时最佳内阻和共发射极放大器的输入电阻接近。因此，可以用共发射极放大器使获得最小噪声系数N_F的同时，也能获得最大功率增益。在较高频工作时，最佳内阻和共基极放大器的输入电阻接近，因此，可用共基极放大器，使最佳内阻值与输入电阻相等，这样就同时获得最小噪声系数和最大功率增益。

4.选择合适的工作带宽

根据上面的讨论，噪声电压都与通带宽度有关。接收机或放大器的带宽增大时，接收机或放大器的各种内部噪声也增大。因此，必须严格选择接收机或放大器的带宽，使之既不过窄，以能满足信号通过时对失真的要求，又不致过宽，以免信噪比下降。

5.选用合适的放大电路

共发射极一共基极级联的放大器、共源极一共栅极级联的放大器都是优良的高稳定和低噪声电路。

6.热噪声

热噪声是内部噪声的主要来源之一，所以降低放大器，特别是接收机前端主要器件的工作温度，对减小噪声系数是有意义的。对灵敏度要求特别高的设备来说，降低噪声温度是一个重要措施。例如，卫星地面站接收机中常用的高频放大器就采用“冷参放”(制冷至20～80K的参量放大器)。其他器件组成的放大器制冷后，噪声系数也有明显的降低。 2100433B