在早期探索提高 TTL逻辑电路"与非"门开关速度的过程中，只是采取两方面的措施:①降低电路中的阻值，因为降低阻值可增加驱动电流。缩小电路所占的芯片面积，寄生电容也因之减小;②输出级上推拉管和二极管改为射极跟随器连接法,使TTL"与非"门逻辑电路开关速度成倍提高。但是在进一步探索提高电路速度时，发现晶体管多余载流子的存储效应是一个重要障碍。这些多余载流子的产生，是由于过驱动电流导致晶体管进入饱和状态，多余的载流子又来不及复合消失，势必存储在晶体管区内。为了进一步提高开关速度，只有设法使晶体管处于临界饱和状态，避免对晶体管过驱动才有可能消除和避免多余载流子的存储效应。因此，60年代末至70年代初期,开始在TTL集成电路中采用肖特基势垒二极管，将其并接在电路晶体管的基极和集电极上，终于把电路存储时间大大缩短。TTL电路"与非"门开关速度进入超高速范围，使带有肖特基势垒二极管的晶体管的开关时间可缩短到1纳秒左右。

TTL电路按用途区分,还包括一些特殊用途的电路，如普通常用的基本门、功率门或驱动器、集电极开路门、抗辐照基本门和三态输出基本门。