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晶体管-晶体管逻辑电路早期

2018/06/1998 作者:佚名
导读: 在早期探索提高 TTL逻辑电路"与非"门开关速度的过程中,只是采取两方面的措施:①降低电路中的阻值,因为降低阻值可增加驱动电流。缩小电路所占的芯片面积,寄生电容也因之减小;②输出级上推拉管和二极管改为射极跟随器连接法,使TTL"与非"门逻辑电路开关速度成倍提高。但是在进一步探索提高电路速度时,发现晶体管多余载流子的存储效应是一个重要障碍。这些多余载流子

在早期探索提高 TTL逻辑电路"与非"门开关速度的过程中,只是采取两方面的措施:①降低电路中的阻值,因为降低阻值可增加驱动电流。缩小电路所占的芯片面积,寄生电容也因之减小;②输出级上推拉管和二极管改为射极跟随器连接法,使TTL"与非"门逻辑电路开关速度成倍提高。但是在进一步探索提高电路速度时,发现晶体管多余载流子的存储效应是一个重要障碍。这些多余载流子的产生,是由于过驱动电流导致晶体管进入饱和状态,多余的载流子又来不及复合消失,势必存储在晶体管区内。为了进一步提高开关速度,只有设法使晶体管处于临界饱和状态,避免对晶体管过驱动才有可能消除和避免多余载流子的存储效应。因此,60年代末至70年代初期,开始在TTL集成电路中采用肖特基势垒二极管,将其并接在电路晶体管的基极和集电极上,终于把电路存储时间大大缩短。TTL电路"与非"门开关速度进入超高速范围,使带有肖特基势垒二极管的晶体管的开关时间可缩短到1纳秒左右。

TTL电路按用途区分,还包括一些特殊用途的电路,如普通常用的基本门、功率门或驱动器、集电极开路门、抗辐照基本门和三态输出基本门。

*文章为作者独立观点,不代表造价通立场,除来源是“造价通”外。
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