AT91SAM9G35存储器

2018/06/19148 作者：佚名

导读： - 一个64K字节的内部ROM嵌入引导程序:从NANDFlash、SD卡、DataFlash®或Serial DataFlash启动。可编程启动顺序。- 一个32K字节的内部SRAM，以系统运行速度单周期存取- 高带宽多端口的DDR2控制器- 32位外部总线接口支持8-bank DDR2/LPDDR、SDR / LPSDR，静态存储器- MLC /SLC NAND控制器，24位可编程的多比特

- 一个64K字节的内部ROM嵌入引导程序:从NANDFlash、SD卡、DataFlash®或Serial DataFlash启动。可编程启动顺序。

- 一个32K字节的内部SRAM，以系统运行速度单周期存取

- 高带宽多端口的DDR2控制器

- 32位外部总线接口支持8-bank DDR2/LPDDR、SDR / LPSDR，静态存储器

- MLC /SLC NAND控制器，24位可编程的多比特错误纠正代码(PMECC)

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