第1章 混合微波集成电路与单片微波集成电路
参考文献
第2章 基本概念
2.1 引言
2.2 麦克斯韦定律
2.3 介电常数与磁导率
2.4 自由空间波长
2.5 传播速度
2.6 分贝(dB)
2.7 Q值测量
2.8 小信号(S参数)
参考文献
第3章 平面波导
3.1 阻抗
3.2 微带
3.2.1 波导波长(λg)
3.3 共面波导
3.4 带状线
参考文献
第4章 电流及损耗
4.1 介质损耗
4.1.1 tanδ
4.1.2 各向异性
4.2 导体损耗
4.2.1 波导波长损耗
4.2.2 衰减
4.2.3 回波损耗
4.2.4 电压驻波比(VSWR)
4.2.5 趋肤深度
4.2.6 附着层
4.2.7 表面粗糙度
参考文献
第5章 基片
5.1 玻璃
5.2 单晶
5.3 多晶陶瓷
5.3.1 制造
5.3.2 基片的特性
5.4 低温共烧陶瓷(LTCC)
5.5 覆铜板材料
5.5.1 玻璃转化温度Tg
5.5.2 材料性能
5.5.3 制造
5.5.4 机械刻图
5.6 清洗
5.6.1 湿法清洗工艺
5.6.2 干法清洗工艺
5.7 安全事项
参考文献
第6章 厚膜
6.1 丝网印刷
6.2 金属箔掩模
6.3 光刻厚膜
6.3.1 光刻厚膜
6.3.2 光敏厚膜
6.4 加法工艺
6.4.1 金属有机物
6.4.2 直接绘图
6.4.3 直接键铜(DBCu)
参考文献
第7章 薄膜
7.1 物理气相沉积
7.1.1 蒸发沉积
7.1.2 溅射
参考文献
第8章 介质沉积
8.1 等离子增强低压化学气相沉积(PELPCVD)
8.2 阳极化
参考文献
第9章 聚合物
9.1 材料性能
9.1.1 吸湿性
9.1.2 机械性能
9.1.3 玻璃转化温度(Tg)
9.1.4 平坦化
9.2 沉积
9.2.1 旋涂
9.2.2 喷涂
9.2.3 丝网印刷
9.2.4 其他沉积方法
9.3 图形化
9.3.1 湿法刻蚀
9.3.2 干法刻蚀
9.3.3 光敏聚合物
参考文献
第10章 加工方法
第11章 光刻
11.1 光刻胶
11.1.1 旋涂
11.1.2 喷涂
11.1.3 辊涂
11.1.4 半月涂覆
11.1.5 电沉积
11.1.6 干膜
11.1.7 浸涂
11.2 原图和掩模
11.3 曝光
11.3.1 非准直光光源
11.3.2 大泛光光源
11.3.3 短泛光光源
11.3.4 准直光光源
11.3.5 激光曝光
参考文献
第12章 电镀
12.1 综述
12.2 无机添加剂
12.3 有机添加剂
12.4 波形
12.4.1 非均衡直流
12.4.2 脉冲
12.5 电场密度
12.6 化学镀
参考文献
第13章 刻蚀
13.1 湿法刻蚀
13.2 干法刻蚀
13.2.1 溅射刻蚀
13.2.2 离子束研磨
13.2.3 反应刻蚀技术
13.3 刻蚀对阻抗的影响
参考文献
第14章 元件
14.1 无源元件
14.1.1 电阻
14.1.2 衰减器
14.1.3 电容器
14.1.4 电感器
14.2 传输线元件
14.2.1 互易功分器/功合器
14.2.2 滤波器
参考文献
第15章 封装
15.1 集成化
15.2 互连
15.2.1 圆线
15.2.2 条带
15.2.3 修正的载带自动键合(TAB)
15.2.4 集成的跨接线
15.2.5 外壳
15.2.6 热膨胀
15.2.7 基板贴装
15.2.8 接地
15.2.9 通孔
15.2.10 可电镀性
15.2.11 时域反射计(TDR)
参考文献
第16章 超导
16.1 高转变温度(Tc)材料的性质
16.2 材料因素
16.3 基板材料
16.4 膨胀系数
16.5 缓冲(阻挡)层
16.6 膜的形成
16.6.1 偏轴(off-axis)溅射
16.6.2 脉冲激光沉积
16.6.3 蒸发
16.6.4 有机金属化学气相沉积(MOCVD)
16.7 图形制作
16.7.1 湿法刻蚀
16.7.2 干法刻蚀
参考文献
第17章 微机电系统(MEMS)
参考文献
附录A 符号定义
附录B 公司名录
附录C 单位换算
附录D 对微带的w/h和εeff的图解评估
