功率MOSFET场效应管从驱动模式上看，属于电压型驱动控制元件，驱动电路的设计比较简单，所需驱动功率很小。采用功率MOSFET场效应作为开关电源中的功率开关，在启动或稳态工作条件下，功率MOSFET场效应管的峰值电流要比采用双极型功率晶体管小得多。功率场效应管与双极型功率晶体管之间的特性比较如下:

1. 驱动方式:场效应管是电压驱动，电路设计比较简单，驱动功率小;功率晶体管是电流驱动，设计较复杂，驱动条件选择困难，驱动条件会影响开关速度。

2. 开关速度:场效应管无少数载流子存储效应，温度影响小，开关工作频率可达150KHz以上;功率晶体管有少数载流子存储时间限制其开关速度，工作频率一般不超过50KHz。

3. 安全工作区:功率场效应管无二次击穿，安全工作区宽;功率晶体管存在二次击穿现象，限制了安全工作区。

4. 导体电压:功率场效应管属于高电压型，导通电压较高，有正温度系数;功率晶体管无论耐电压的高低，导体电压均较低，具有负温度系数。

5. 峰值电流:功率场效应管在开关电源中用做开关时，在启动和稳态工作时，峰值电流较低;而功率晶体管在启动和稳态工作时，峰值电流较高。

6. 产品成本:功率场效应管的成本略高;功率晶体管的成本稍低。

7. 热击穿效应:功率场效应管无热击穿效应;功率晶体管有热击穿效应。

8. 开关损耗:场效应管的开关损耗很小;功率晶体管的开关损耗比较大。