SIT是介于双极型功率晶体管(GTR)与功率场效应晶体管(功率MOSFET)之间的器件(性能方面更接近后者)，其开关频率可在1MHz以上(可达100MHz)，80年代中期其容量已有10A/800V，和功率MOSFET差不多，适用于数千瓦以下的电力电子装置上。

虽然SIT的概念早在1950年就被提出，功率SIT器件直至 70年代末方出现。SIT的工作电流密度要大于功率MOSFET，且其制造工艺也比后者容易，因而是一种很有前途的器件，有希望发展成100A/1000V级的大容量高频器件。

另外，若将图2中的SIT漏极的n型高掺杂半导体换成p型半导体,则器件变成静电感应晶闸管(又称场控晶闸管)，简称SITH。它的工作电流密度及容量远比SIT高，可达门极可关断晶闸管(GTO)的水平,其开关性能(尤其是开通速度)则优于GTO，是80年代出现的性能最优的大容量电力电子器件之一。