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静电感应晶体管结构形式主要有三种结构形式:
埋栅结构是典型结构(图2)，适用于低频大功率器件;
表面电极结构适用于高频和微波功率SIT;
介质覆盖栅结构是中国研制成功的，这种结构既适用于低频大功率器件，也适用于高频和微波功率器件，其特点是工艺难度小、成品率高、成本低、适于大量生产。中国已研制出具有这种结构的 SIT器件有:400兆赫，1~40瓦;1000兆赫,1~12瓦及1500兆赫，6瓦的SIT器件。另外，还制出600兆赫下耗散功率2.3瓦、噪声系数小于3分贝的功率低噪声SIT。
