快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（500ns以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。 其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复,高效率(特快恢复),超快恢复三个等级。前者反向恢复时间为 数百纳秒，后两者则在100纳秒以下。

肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管 (Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10纳秒以内），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于200V，多用于低电压 场合。

这两种管子通常用于开关电源

肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复 时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒，前者的优点还有低功耗，大电流，超高速,电气特性同是属于二极管，快恢复二极管在制造工艺上采 用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。