提高陶瓷电容器产品容量的技术途径重点在改进陶瓷材料性能和开发新的材料体系，提高陶瓷材料的介电常数，减薄介质层厚度和提高叠层数等方面。1998 年日本太阳诱电推出了 100 mF 的多层陶瓷电容器，该产品使用镍作为电极材料，尺寸为 5750（5.7 mm×5.0 mm×2.5 mm），该产品的出现使得陶瓷电容器在大容量方面的应用向前推进了一大步。

陶瓷电容器所使用的粉体材料可分为温度补偿型（Ⅰ型）、高介电常数型（Ⅱ型）及半导体型（Ⅲ型）三个类别。其中半导体型的陶瓷粉体为还原性钛酸钡或钛酸锶材料，该类别的材料主要用于制造圆片形半导体陶瓷电容器，适用于低压电路。多层陶瓷电容器则是以温度补偿型及高介电常数型陶瓷粉体为主要的原材料，由于各类陶瓷粉体特性不一，所制成的电容器产品的成本也会有所不同。各类多层陶瓷电容器特性及平均成本可以看出，NP0/COG 陶瓷电容器的平均成本相较其他陶瓷电容器高。NP0/COG 陶瓷电容器多用于通讯产品上，特别是随着全球移动通讯产品需求量急剧扩大，使得用于移动电话上的 NP0/COG 多层陶瓷电容器需求大增，此系列的电容器产品在未来的一段时间内仍会具有广阔的市场前景。X7R 陶瓷电容器主要用于计算机产品上，其平均成本则仅次于 NP0/COG 系列产品，而 Z5U/Y5V 陶瓷电容器因价格较低，其下游主要应用产品（在整机中可使用Z5U/Y5V 陶瓷电容器的电子产品）为消费性电子产品 。