垂直磁化纳米线在赛道存储器件、畴壁逻辑器以及纳米振荡器件都有广阔的应用前景，研究垂直纳米线中钉扎畴壁的动力学特性进行研究，探索调控畴壁动力学行为的方法对其在器件中的实际应用至关重要。本项目，我们将研究的重点放在垂直磁化纳米线中钉扎畴壁的动力学特性，主要开展了一下工作：1）采用磁控溅射法加上纳米刻蚀技术，制备出质量良好的垂直纳米线，对纳米线的各向异性磁电阻测量，显示出畴壁处于不同位置具有不同的AMR；2）研究了不同刻痕结构、形状和刻痕深度对对畴壁的钉扎强度，发现对称矩形刻痕具有最强的钉扎效果，而三角刻痕钉扎最弱；3)对钉扎畴壁的动力学特性研究发现，钉扎畴壁在一定的电流下出现振荡，其实振荡电流与刻痕的形状、深度都有关系，在深度钉扎时，三角刻痕具有最小的其实振荡电流；4）对深度钉扎的单个畴壁和多个畴壁的振荡特性进行了研究，发现在一定电流下，会出现恒频振荡，这种恒频振荡的振幅可以通过横向磁场辅助和多畴壁协同振荡大幅提高；5）设计了反铁磁耦合的双垂直磁化纳米线，利用自选轨道矩和DMI实现了耦合畴壁运动超高速运动；6）弄清垂直磁化-面内磁化复合纳米线中自旋波模式的振荡特性以及调控手段，提出了一种新型的纳米振荡器；7）设计了垂直磁化-面内磁化复合纳米柱阵列，证实了合理调控相互作用可以使各纳米柱的磁矩出现协同振荡，从而大幅提高振荡信号；8）探索了调控涡旋状态以及利用涡旋状态调控畴壁动力学特性的方法，发现涡旋畴壁的状态可以在选取适当的纳米线尺寸的情况，通过磁场大小方便地调控；9）对基于FePt3的双层薄膜中的交换耦合特性进行了研究，发现一定的化学无序以及铁磁层的诱导可以诱发Q2 相，从而解释了(100)取向的双层膜低温下出现的强的交换耦合场。以上这些工作中取得的重要结果以达到本象奴设定的研究目标。