电子电导

电子电导的情况主要存在于导体和半导体中，具体对于导体和半导体也还有区别，下面分别介绍。

（1）导体：金属是导体，具有金属键和规则的晶体结构。根据能带理论，金属的价电子处于导带中，全都是参与导电的载流子。如果是理想晶体，在电场作用下，电子的运动不会遇到阻力，运动速度应该无限大，也就不会有电阻存在，但这与实际情况不符。这是因为实际的晶体一方面存在缺陷，另一方面，只要不是绝对零度，晶格格点上的原子总是在不断地围绕平衡位置作振动，这种振动对于电子的定向运动构成了阻力，所以迁移率在不同的温度下具有不同的有限值，因而电导率也是有限的。

（2）半导体：根据能带理论，半导体在绝对零度时，因为导带中没有电子，在电场作用下不导电。但是当温度大于0K时，电子受热激发，从价带跃迁到导带，使导带产生自由运动的电子，而价带产生自由运动的空穴，它们统称为本征载流子，载流子的浓度大小决定了高纯半导体的导电性。

离子电导

从理论上说，没有缺陷的离子晶体是绝缘体，但实际的大多数离子晶体还是有低的电导率。

离子晶体中的电导主要为离子电导。离子电导是离子在电场作用下的定向扩散运动，分为两类。

（1）本征电导，也叫固有离子电导，是晶体点阵的离子由于热振动而离开了晶格，形成热缺陷。这种热缺陷无沦是离子还是空位都是带电的，都可作为离子电导载流子。

（2）杂质电导，由于杂质与基体间的键合弱，在较低的温度下杂质就可以运动，杂质离子载流子的浓度决定于杂质的数量和种类。

离子电导率的大小与温度、晶体结构、晶体缺陷有关。温度增加时电导率增大，在较高温度，固有电导起主导作用；低温下，杂质电导占主要地位。它与晶体结构的关系主要从原子间结合力的大小来考虑，原子间结合力大的，电导率低。晶体缺陷，特别是离子性晶格缺陷的浓度大，电导率高。因此离子性晶格缺陷的生成及其浓度大小是决定离子电导的关键。