多晶硅太阳电池组件是通过浇铸、定向凝固的方法制成多晶硅的晶锭，再经过切割、打磨等工艺制成多晶硅片，进一步经过清洗、扩散、沉积减反膜、丝印电极和烧结等工序制成的。浇铸方法制造多晶硅片不需要经过单晶拉制工艺，消耗能源较单晶硅电池少，并且形状不受限制，可以做成方便光伏组件布置的方形；除不需要单晶拉制工艺外，制造单晶硅电池的成熟工艺都可以在多晶硅电池的制造中得到应用。多晶硅电池的效率能够达到18%，略低于单晶硅电池的水平。和单晶硅电池相比，多晶硅电池虽然效率有所降低，但是节约能源，节省硅原料，达到工艺成本和效率的平衡。
(1)电压一功率曲线。右图为不同辐照度下多晶硅组件的电压一功率曲线。可以看出，在一定的电池温度和辐照度下，随着组件两端电压的变化，组件的功率输出呈不对称抛物线形式，在某一电压(即最佳工作电压)下达到峰值；还可以看出，在电池温度一定时，虽然辐照度在200～1000W/m2变化，但组件的最佳工作电压基本不变。
(2)电压电流曲线。下图为不同辐照度下多晶硅组件的电压一电流曲线。从图中可以看出，在一定电池温度和辐照条件下，组件电压在零至最佳工作电压之间时，组件的电流基本保持恒定；当组件两端的电压从最佳工作电压继续增大时，组件的电流开始快速降低。从图中还可以看出，在电池温度不变、辐照度在200～1000W/m2变化时，组件的开路电压变化很小，组件的短路电流基本跟辐照度呈线性关系。
另外，晶硅组件的短路电流随着温度的升高而缓慢升高，典型系数在0.06%/℃左右；开路电压随着温度的升高而降低，典型系数在一0.33%/℃左右；最大输出功率随着温度的升高而降低，典型系数在一0.45%/℃左右。
