如前所述，屏蔽体上的孔洞是造成屏蔽体泄漏的主要因素之一孔洞产生的电磁泄漏并不是一个固定的数，而是与电磁波的频率、种类、辐射源与孔洞的距离等因素有关孔洞对电磁波的衰减可以用下面公式进行计算这里假设孔洞深度为0

在远场区：SE=100-20lgL-20lgf 20lg(1 2.3lg(L/H))

若L≥λ/2，则SE=0 dB ，这时，孔洞是完全泄漏的

式中： L=缝隙的长度（mm），H=缝隙的宽度（mm），f=入射电磁波的频率（MHz）

这个公式是在远场区中，最坏的情况下（造成最大泄漏的极化方向）的屏蔽效能（实际情况下屏蔽效能可能会更大一些）

在近场区：

若辐射源是电场辐射源 SE=48 20lgZC-20lgLf 20lg(1 2.3lg(L/H))

若辐射源是磁场辐射源 SE=20lg（πD/L） 20lg(1 2.3lg(L/H))

式中：ZC=辐射源电路的阻抗（Ω），D=孔洞到辐射源的距离（m）， L、H=孔洞的长、宽（mm），f=电磁波的频率（MHz）

注意：

1)近场区,孔洞的泄漏与辐射源的特性有关当辐射源是电场源时，孔洞的泄漏远比远场小（屏蔽效能高），当辐射源是磁场源时，孔洞的泄漏远比远场大（屏蔽效能低）

2）对于近场，磁场辐射源的场合，屏蔽效能与电磁波的频率没有关系，因此，千万不要认为辐射源的频率较低（许多磁场辐射源的频率都较低），而掉以轻心

3）这里对磁场辐射源的假设是纯磁场源，因此可以认为是一种在最坏条件下，对屏蔽效能的保守计算

对于磁场源，屏蔽与孔洞到辐射源的距离有关，距离越近，则泄漏越大这点在设计时一定要注意，磁场辐射源一定要远离孔洞

多个孔洞的情况：当N个尺寸相同的孔洞排列在一起，并且相距很近（距离小于1/2）时，造成的屏蔽效能下降为10lgN在不同面上的孔洞不会增加泄漏，因为其辐射方向不同，这个特点可以在设计中用来避免某一个面的辐射过强