目前被普遍认识的是RCC电路对元件、布线、生产工艺要求很高。使用劣质元件、水准不高的布板、变压器绕制不恰当都可能导致RCC电路无法工作，或在正常工作一段时间后失效。常见失效模式包括但不限于：
RCC最常见也最典型的失效现象是主开关管烧毁。大部分此类故障是由变压器基极线圈漏感导致的。 变压器基极线圈的漏感和基极串联的电阻形成LR低通滤波电路，对电流信号有延迟作用，导致在集电极电压上升时，基极电流减小的正反馈出现延迟。而这样的延迟对于绝大部分双极型开关管是致命的，它导致晶体管越出安全工作区，以及发热量过大，最终导致不可逆的二次击穿。
此类故障较少出现在使用功率MOSFET制作的RCC上，因为功率MOSFET的安全工作区远大于双极型晶体管。并且功率MOSFET为电压控制型，开通/关断阈值范围窄，MOSFET较为不易出现同时承受大电流和高电压的情况，即使偶尔出现也不会发生不可逆的失效。 曾经有一批基于MOSFET的RCC电源常常因开关管损坏而失效，经查证，是因为厂家技术考虑不周，机械模仿110V地区产品，在220V交流线路(整流后电压高达311V)上，使用了耐压500V的MOSFET(型号是IRF840)。
另一常见的问题是输出电压明显超过设计输出电压，导致负载过热、烧毁。特别是当负载为锂离子电池时，输出过高电压极端危险，可能导致电池内部气体液体泄漏甚至爆炸。 原因一是变压器绕组间不完全耦合，存在漏感，导致互调整率差。在变换器处于轻载状态，占空比小的时候，此问题更加严重。二是和集成芯片中包含的运算放大器（放大倍数高达数百倍、数千倍）相比，电压环路开环增益太小，精确稳压困难。
并且这两个缺点几乎是不可能同时妥善解决的。解决二次击穿问题要求基极线圈和主线圈近绕以保持耦合良好，而解决输出电压不稳的问题要求次级线圈和基极线圈近绕,又要求初次级之间数千伏的电气隔离。在有限绕线位置的变压器骨架下，要达到这两个矛盾的目的，是十分困难的。 2100433B
