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除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有:
(1)漏极电压UDS——电力MOSFET电压定额
(2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM——电力MOSFET电流定额
(3)栅源电压UGS—— UGS>20V将导致绝缘层击穿 。
(4)极间电容——极间电容CGS、CGD和CDS
间加正向电压使N型半导体中的多数载流子-电子由源极出发,经过沟道到达漏极形成漏极电流ID。