1、防止静电击穿

静电是相对于另一表面或相对于地的一物体表丽上电子的过剩或不足。过剩电子的表面带有负电，电子不足的表面带有正电。静电一般由磨擦或感应产生。电力MOSFET的最大优点是具有极高的输入阻抗，因此在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种形式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿而形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。造成静电击穿的电荷源可能是器件本身，也可能是与之接触的外部带电物体，或带电人体。在干燥环境中，活动的人体电位可达数千伏甚至上万伏，所以人体是引起电力MOSFET静电击穿的主要电荷源之一。引起电力MOSFET静电击穿所需的静电电压为1000v或更高些(取决于芯片太小)。对于带电的电力MOSFET，当它与周围物体的几何位置发生相应变化，这会使器件电压升高，从而造成器件损坏。有时，如带电荷的器件与地短接，则放电瞬间会造成器件损坏。在电场中，由于静电感应电力MOSFET将产生感应电场，故当器件处于强电场中时．会发生栅极绝缘体击穿。

防止静电击穿时应注意：(1)在MOSFET测试和接人电路之前，应存放在静电包装袋、导电材料或金属容器中，不能放在塑料盒或塑料袋中。取用时应拿管壳部分而不是引线部分。工作人员需通过腕带良好接地。(2)将MOSFET接入电路时，工作台和烙铁都必须良好接地，焊接时电烙铁功率应不超过25W，最好是用内热式烙铁。先焊栅极，后焊漏极与源极。(3)在测试MOSFET时，测量仪器和工作台都必须良好接地，并尽量减少相同仪器的使用次数和使用时间，从而尽快作业。MOsFET的三个电极未全部接入测试仪器或电路前．不要施加电压。改换测试范围时，电压和电流都必须先恢复到零。(4)注意栅极电压不要过限。有些型号的电力MOSFET内部输入端接有齐纳保护二极管，这种器件栅源间的反向电压不得超过0．3V，对于内部未设齐纳保护：极管的器件，应在栅源同外接齐纳保护二极管或外接其他保护电路。(5)使用MOSFET时，尽最不穿易产生静电荷的服装(如尼龙服装)。(6)在操作现场，要尽量回避易带电的绝缘体(特别是化学纤维和靼料易带电)和使用导电性物质。例如：导电性底板、空气离子化增压器等，并避免操作现场放置易产生静电的物质，保证操作现场湿度适当。当湿度过高时，可采取加温措施，正确的操作现场防静电措施。

2、防止偶然性振荡损坏器件

电力MOSFET在与测试仪器、接插盒等仪器的输入电容、输入电阻匹配不当时，可能出现偶然性振荡，造成器件损坏。因此，在用图示仪等仪器测试时，在器件的栅极端子处接lOkfl串联电阻，也可在栅源问外接约0．5妒的电容器。

(1)场效应晶体管互导大小与工作区有关，电压越低则越高。

(2)结型场效应晶体管的豫、漏极可以互换使用。

(3)绝缘栅型场效应晶体管．在栅极开路时极易受周围磁场作用，会产生瞬问高电压使栅极击穿。故在存放时，应将三个引脚短路，防止静电感应电荷击穿绝缘栅。

(4)工作点的选择，应不得超过额定漏源电压、栅源电压、耗散功率及最大电流所允许的数值。

(5)测试绝缘栅场效应晶体管时，测试仪器应良好接地，以免击穿栅极。

(6)需采取防潮措施，防止由于输入阻抗下降造成场效应晶体管性能恶化 。2100433B