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1.分辨率: 高真空二次电子像:不低于3nm @30kV,不低于10nm @3kV。 低真空背散射电子像:不低于4.0nm @30kV。 2.电子光学系统: 3.样品室及样品台: 1)内部尺寸:不小于365mm(直径)×275mm(高) 2)样品台马达移动范围:不小于120mm(X方向),120mm(Y方向),50mm(Z方向),0-90°(倾斜),360°(旋转)。 4.探测器: 1)高真空二次电子探测器。