声表面波（SAW）滤波器正广泛地应用于军事、民用等各个领域。随着新一代通讯技术的高速发展，迫切需求高频、高功率、低损耗SAW器件。为提高SAW滤波器的频率，选用压电薄膜配合高声速基片材料是最重要和有效的解决途径。本申请提出的AlN压电薄膜/自持金刚石厚膜基板结构是人们可预期的能够实现最优性能的结构。AlN具有优良的压电性、较小的声波损耗、高声表面波传播速度和较高的机电耦合系数。而金刚石是所有物质中声传播速度最快的材料，还具有非常高的弹性模量、最高的导热性和优良的耐热性。本申请提出的用自持金刚石厚膜做基片材料，具有自身突出特色。实现这样结构需要突破高品质AlN压电薄膜的制备和低成本、高速沉积金刚石厚膜两个技术瓶颈。我们在金刚石膜厚膜以及AlN、GaN薄膜的制备与应用领域积累了丰富的研究经验，已解决了高品质金刚石厚膜制备技术等关键难题。有这样良好的工作基础做保证，有信心能完成本器件的研制工作。 2100433B
