pn结隔离是集成电路生产中比较常用的方法，特别是在一些无特殊要求的小规模集成电路中。它是利用pn结反向偏置时呈高电阻性，来达到各元件互相绝缘隔离的目的。实现隔离有多种方法，但用得最多的还是一次外延、二次扩散pn结隔离工艺，简称标准pn结隔离或pn结隔离 。
为了实现pn结隔离，衬底材料必须选用p型单晶，以便和n型外延层之间形成pn结。这一pn结击穿电压的大小主要取决于衬底电阻率的高低。从提高击穿电压和减小隔离结寄生电容考虑，衬底的电阻率高一点好。但选得过高，在长时间的隔离扩散中，会增加外延层向衬底的推移，使隔离时间加长。同时高阻的单晶较贵，因此电阻率不能取得太高，在一般电路中为8到13欧姆厘米。为了得到平坦均匀的扩散结面，还应选用 晶向的硅单晶。厚度一般为300到350微米，应选用位错密度较低（一般应小于3000个/平方厘米），有害杂质少的硅单晶片 。
