传统的硅局部氧化(Local Oxidation of Sillicon, LOCOS)隔离技术是利用光刻刻蚀技术在硅基板上的氮化硅上开出氧化窗口，利用氮化硅的掩模作用在大约1000摄氏度的高温下对没有氮化硅覆盖的场区进行氧化。氧化后氧化层表面将高出硅基板表面，高度大约是氧化膜厚度的55%，形成一定程度的不平坦表面，给后续工艺带来不利影响。再者，氧化生长时，横向的氧化生长将向器件的有源区延伸，形成所谓的“鸟嘴”现象。“鸟嘴”的出现，不但占据了一定的有源区面积，而且在极小尺寸下，使得漏电流问题越来越突出，极大地影响到器件的性能 。
