直流大电流传感器中的铜屏蔽层既能屏蔽高频磁场的干扰,也能屏蔽电场干扰。干扰源A所产生的电力线对检测铁芯B的作用,可认为是通过两者间的电容耦合引起的。为了减小A对B的干扰,可在A/B间加铜屏蔽层S。

首先假定金属板S不接地,为分析方便,忽略AB间的剩余电容/1C 。在AB间加入铜屏蔽层后，B点的感应电压有时候可能比无屏蔽时更大。当屏蔽体离地较远，使C₃>>C₄ 。因为屏蔽体与检测铁心间的分布电容大于AB间原有的分布电容，即C₅>C₁，所以U_BS〉U_B。

可见此刻屏蔽体不仅没有屏蔽作用,反而加强了干扰源A与检测铁心B间的耦合。如果把铜屏蔽层良好接地,就可认为C₄≈∞，U_S≈0,因此 U_BS≈0，即获得良好的屏蔽效能。

实际上由于铜屏蔽层不是无限大，在AB间总还存在剩余电容/1C ,由于/1C的作用,屏蔽后在B上的感应电压U_BS为：

从场的观点看，电屏蔽的实质是干扰源发出的电力线被中止于屏蔽体，从而切断了干扰源与感受器之间电力线的交连；从电路的观点分析，屏蔽体起着减小干扰源和检测铁心之间分布电容的作用。