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高过载硅压力传感器中的应力匀散技术研究项目摘要

2022/07/15249 作者：佚名
导读：本项目研制了一种新型设计的应力匀散技术，它在硅三维结构的少掩膜腐蚀技术基础上，进行理论分析和实验研究，获得了实现硅膜区与边框的交界处形成园弧形过渡区的理论计算和工艺技术，对提高硅微机械加工器件的过载能力具有普遍的实用价值。利用该技术，成功地开发了300Pa硅微压传感器，过载压力达到140倍满量程以上。根据国际联网查新，该产品为国际领先。本项目与国家九五科技攻关“96-748传感器技术”研究项目“硅

本项目研制了一种新型设计的应力匀散技术，它在硅三维结构的少掩膜腐蚀技术基础上，进行理论分析和实验研究，获得了实现硅膜区与边框的交界处形成园弧形过渡区的理论计算和工艺技术，对提高硅微机械加工器件的过载能力具有普遍的实用价值。利用该技术，成功地开发了300Pa硅微压传感器，过载压力达到140倍满量程以上。根据国际联网查新，该产品为国际领先。本项目与国家九五科技攻关“96-748传感器技术”研究项目“硅微压力传感器”（编号96-748-02-01/02）结合，已通过验收和鉴定。 2100433B

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