《一种高抗熔焊性CuCr40Te触头材料及其制备方法》实施例中所使用原料是：
（1）Cr粉坯：纯度≥99.3%，氧含量≤700ppm，粉末粒度在50-300微米；
（2）无氧Cu棒：纯度≥99.95%，氧含量≤30ppm；
（3）QTe0.5合金棒：Cu2Te:0.8-1.0%，氧含量≤20ppm。
《一种高抗熔焊性CuCr40Te触头材料及其制备方法》实施例所使用的设备均为真空感应熔炼炉，为工业化熔炼常用设备。
实施例1
1.1、《一种高抗熔焊性CuCr40Te触头材料及其制备方法》实施例中，所需各组分的重量份为： Cr粉坯40份； Cu2Te0.016份； 无氧Cu棒60份；
生产《一种高抗熔焊性CuCr40Te触头材料及其制备方法》的熔铸CuCr40Te触头材料7千克，所需各组分的实际重量为：Cr粉坯2.7996千克；QTe0.5合金棒（Cu2Te含量按0.9%计算）124.4克，无氧Cu棒 4.1993千克。
1.2、制备步骤：
（1）按上述成分的重量，称取Cr粉坯，QTe0.5合金棒，无氧Cu棒，然后将Cr粉坯、无氧铜棒直接装入熔铸炉中，QTe0.5合金棒装于二次加料器中；
（2）将熔铸炉中进行抽真空，在真空度达到9x10-2帕时进行加热，升温速率75℃/分钟，无氧铜棒完全熔化后形成CuCr合金熔液，待CuCr合金熔液搅拌均匀后，将QTe0.5合金棒通过二次加料器添加进CuCr合金熔液中，充分熔融，同时继续按速率75℃/分钟升温；
（3）在持续搅拌下将合金液加热至1750℃后，保温4分钟，待合金液搅拌充分后，快速浇铸至结晶器中，以650℃/分钟的冷却速率冷却得到CuCr40Te触头材料。
1.3、如图1所示为该实施例熔铸的CuCr40Te触头微观金相组织图，所得的金相组织图是在100倍的金相显微镜下所得。
实施例2
2.1、《一种高抗熔焊性CuCr40Te触头材料及其制备方法》实施例中，所需各组分的重量份为： Cr粉坯35份； Cu2Te0.018份； 无氧Cu棒65份；
生产《一种高抗熔焊性CuCr40Te触头材料及其制备方法》的熔铸CuCr40Te触头材料7千克，所需各组分的实际重量为：Cr粉坯2.4496千克；QTe0.5合金棒（Cu2Te含量按0.8%计算）157.5克，无氧Cu棒4.5492千克。
2.2、制备步骤：
（1）按上述成分的重量，称取Cr粉坯，QTe0.5合金棒，无氧Cu棒，然后将Cr粉坯、无氧铜棒直接装入熔铸炉中，QTe0.5合金棒装于二次加料器中；
（2）将熔铸炉中进行抽真空，在真空度达到8x10-2帕时进行加热，升温速率70℃/分钟，无氧铜棒完全熔化后形成CuCr合金熔液，待CuCr合金熔液搅拌均匀后，将QTe0.5合金棒通过二次加料器添加进CuCr合金熔液中，充分熔融，同时继续按速率70℃/分钟升温；
（3）在持续搅拌下将合金液加热至1800℃后，保温5分钟，待合金液搅拌 充分后，快速浇铸至结晶器中，以600℃/分钟的冷却速率冷却得到CuCr40Te触头材料。
2.3、如图2所示为该实施例熔铸CuCr40Te宏观断口与普通熔铸CuCr40宏观断口对比示意图，其中A为熔铸CuCr40Te的宏观断口，B为普通熔铸CuCr40的宏观断口。
实施例3
3.1、《一种高抗熔焊性CuCr40Te触头材料及其制备方法》实施例中，所需各组分的重量份为： Cr粉坯45份； Cu2Te0.015份； 无氧Cu棒55份；
生产《一种高抗熔焊性CuCr40Te触头材料及其制备方法》的熔铸CuCr40Te触头材料7千克，所需各组分的实际重量为：Cr粉坯3.1495千克；QTe0.5合金棒（Cu2Te含量按1.0%计算）105.0克，无氧Cu棒3.8494千克。
3.2、制备步骤：
（1）按上述成分的重量，称取Cr粉坯，QTe0.5合金棒，无氧Cu棒，然后将Cr粉坯、无氧铜棒直接装入熔铸炉中，QTe0.5合金棒装于二次加料器中；
（2）将熔铸炉中进行抽真空，在真空度达到7x10-2帕时进行加热，升温速率80℃/分钟，无氧铜棒完全熔化后形成CuCr合金熔液，待CuCr合金熔液搅拌均匀后，将QTe0.5合金棒通过二次加料器添加进CuCr合金熔液中，充分熔融，同时继续按速率80℃/分钟升温；
（3）在持续搅拌下将合金液加热至1700℃后，保温3分钟，待合金液搅拌充分后，快速浇铸至结晶器中，以800℃/分钟的冷却速率冷却得到CuCr40Te触头。
将实施例1-3中所得的CuCr40Te与普通熔铸CuCr40进行性能对比，对比结果如下表所示：
《一种高抗熔焊性CuCr40Te触头材料及其制备方法》生产的真空熔铸CuCr40Te触头材料在12千伏/31.5千安培电压等级实验中，接触压力由原来的3300牛降低至1600牛，成功通过型式实验，从上表中可以看出熔铸CuCr40Te触头材料在具有原有优良性能的基础上，由于具有更高的抗熔焊性能，很大程度的降低了传统真空开关的触头压力，从而能达到真空开关小型化智能化的目的。
