截至2003年5月，无机光导纤维在通讯行业已得到广泛应用，其中石英系列光纤以其具有光损耗低、适用的光波范围广、适应长距离通讯等特点而成为无机光导纤维的主体。近年来，石英系光纤的制备已经取得了显著的进展，消除了绝大多数非本征衰减（除了羟基离子吸收以外），提高了光纤传输可用光的能力，而由羟基引起的衰减成为光纤总衰减的重要因素。

在二氧化硅系光纤的衰减谱图上，在第二传输窗口1310纳米区（1280纳米～1325纳米）和第三传输窗口1550纳米区（1380纳米～1565纳米）之间的1383纳米波长附近，通常有一个较高的水吸收峰，通常称为水峰，在1380纳米窗口内阻止可用的电磁波通过。氢原子与玻璃基体内的SiO₂、GeO₂以及其他含氧化合物中的氧结合，形成OH/OH₂。由于玻璃内的OH/OH₂所造成的衰减约为0.5～1.0分贝/千米，衰减峰通常在“1380纳米窗口”（定义为，约1330～1470纳米的波长范围）内。随着波分复用（WDM）、放大器技术以及激光源方面的新近进展，消除1380纳米的水峰日益显得重要起来。

石英光纤是由拉制与光纤结构类似的光纤预制件的方法而得的。石英系光纤预制件的制备包括下列步骤：先将硅的水解化合物汽化，然后将其导入燃烧气体火焰中，气体受热分解并形成细小的二氧化硅粉末，最后使二氧化硅粉末玻璃化，从而形成透明制品。这种工艺方法，即粉末法，能被用于制造掺杂含有较高气体压的氧化物的石英玻璃，如B₂O₃、P₂O₅、GeO₂。截至2003年5月，实用的粉末工艺主要有三种，即：外部气相沉积法（OVD）、改进的化学气相沉积工艺（MCVD）和轴向气相沉积工艺（VAD）。

截至2003年5月，通常是采用粉末工艺中的一种，制造光纤预制件的芯棒的松散体，该松散体在化学干燥后，在含有氯气的气氛中烧结，由此形成芯棒预制棒；然后，将此芯棒预制棒置于一个再拉伸炉内，加热到足以将其拉伸为较小直径圆柱玻璃体即芯棒的温度。在拉伸步骤后，一般采取外部气相沉积法（OVD）、改进的化学气相沉积工艺（MCVD）和轴向气相沉积工艺（VAD）中的任一种方法，如通过OVD法沉积，将所得芯棒的周围包覆上一层二氧化硅粉末的烟灰。将覆盖了烟灰层的芯棒进行化学干燥，再烧结形成光纤预制棒，然后，可将其拉伸成为光纤。尽管使用了化学干燥和烧结步骤，这种光纤在约1380纳米测得的衰减仍然相当多。

由于原料卤化物中的含氢杂质与羟基杂质，载流气体中的水气体，以及石英玻璃管中的OH扩散，使得粉末法工艺制备的光纤预制件羟基含量较高，拉制的光纤受到羟基污染。为了避免光纤被羟基污染，降低水峰造成的衰减，人们采取了多种手段，比如，精制原料气体，纯化载气，以去除气体中所含的水气体；管线密闭，采用低OH含量的石英玻璃管等等。其中，最为有效的是进行化学脱水，即在进行玻璃化之前，利用亚硫酰氯（SOCl₂）、氯气（Cl₂）等化学试剂对羟基的取代反应，对光纤预制品进行卤化。由于反应结果产生的Si-Cl的基频振动吸收峰位于25微米附近，因而在光纤使用的波长区域，由Si-Cl键的振动而产生吸收衰减对光纤的传输衰减并无重大影响。利用卤化过程而进行的化学脱水对于减少残余OH含量十分有效。例如，在VAD法中，水分主要来自火焰水解反应产生的气体。虽然大部分的气体通过废气排气口排出，仍然有相当多的H₂O被吸附在光纤预制件中，VAD法制备的光纤预制品经过Cl₂化学脱水之后，OH含量可降低到10ppb；拉制的光纤在“1380纳米窗口”的衰减为0.5分贝/千米。

但是，针对进一步降低光纤预制品的OH含量、进而大幅度降低水峰衰减的技术要求，在2003年前的工艺条件下，卤化脱水法是无法达到要求。