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在功率集成电路中，各器件做在同一个硅衬底上，由于硅衬底是导电的，为了避免各器件之间的相互影响，必须进行电隔离。并且，高压晶体管与低压晶体管之间的电隔离尤为重要。
如下图1所示，如果在n-衬底上有一个高压npn晶体管和一个低压pMOS管，若两者之间不隔离，不仅会产生一个微小的漏电流使功耗增加，而且栅氧化层(约lOOnm)很难承受pMOS栅极与衬底之间跨接的高电压，因此两者之间必须加以隔离。
