绿光二极管（LED）在通用和特殊照明方面应用日益广泛。但是绿光LED性能仍远远落后于蓝光和红光LED。主要原因是内量子效率太低， 而且在大电流密度下效率下降很快，droop效应比蓝光LED严重得多。本项目拟通过半导体能带模拟和实验研究大电流密度下量子阱中载流子的传输和复合机制，研究多铟量子阱中极化电场，俄歇复合，位错密度等对LED内量子效率影响的科学本质。通过外延结构调整，纳米图案化衬底的外延生长，新型非极性和半极性衬底高铟量子阱效率的研究，和大功率垂直结构绿光LED芯片创新四大方面，提出大电流密度下高效绿光LED的外延生长和芯片设计方案。有望使绿光LED在大电流密度下大幅提高量子效率。本项目对当前氮化镓半导体光电科学基础研究有促进作用。为发展适合大功率驱动，高亮度需求的绿光LED奠定基础。
