氧化镁磁隧道结是指以氧化镁为绝缘势垒层的磁隧道结。

1995年以非晶三氧化二铝为绝缘势垒层，分别以多晶Fe或CoFe作为铁磁层，室温下TMR值约为20%。2004年以CoFeB作为铁磁电极层使得TMR值升至70%，2001年Butle等 通过ab inito理论计算，预测在Fe(001)/Mg0(001)/Fe(001)磁隧道结中通过相干隧穿TMR值可达1000%以上。2004年，Yuasa等 在分子束外延制每的Fe(001)/Mg0(001)/Fe(001)磁隧道结中得到了88%的TMR值。随后，Djayaprawira等 用磁控溅射法制备出CoFeB/Mg0/CoFeB磁隧道结，其TMR值大于200%，2007年Lee等 在磁控溅射CoFeB/Mg0/CoFeB的磁隧道结中得到高达500写的室温TMR值，5K时TMR值可达1010%，氧化镁磁隧道结因其巨大的磁电阻效应引起了人们越来越多的关注，对氧化镁磁隧道结磁电阻效应的研究无论是在理论上还是在实际应用中都具有重大意义。