1. 大功率器件的高导热封装。
大功率器件和高频微波器件的推广应用中，散热问题愈发明显。其中，大功率LED的散热直接体现为芯片的光衰和电池隐患。物联网的推广要求高频微波的功率提高，直接带来发射基站功率负载剧增，导致发热严重。电动汽车的大功率导热基板配套无法满足要求。金锡共晶焊料的研发和生产直接关系到散热问题的解决。
2. 微型光电器件的高可靠封装。
电子设备逐渐小型化，尤其是微型传感器，MEMS器件和微型激光器的使用，都要求在微型基板表面微区进行无助焊剂的焊垫加工。加之，高精密高可靠性的要求，对封装材料和封装工艺提出
更为苛刻的要求。可见，只有金含量占有80wt%的AuSn20共晶可以满足这一要求。传统的金锡合金焊垫采用的是预成型片，其加工工艺是采用物理粉末冶金的方法制备而成的。这种预成型片虽然适合于元器件的气密性封装，但是无法在微电子的微区进行加工。
