金刚石颗粒增强碳化硅复合材料（Diamond/SiC）因其具有高导热、高强度、低热膨胀系数和低密度等特点，是高性能电子装备用最有发展前景的新一代封装材料之一。本项目针对Diamond/SiC复合材料难复合和难加工成形等问题，以建立高性能Diamond/SiC复合材料零件的粉末注射成形－气相硅反应渗透近终形成形技术为目标。通过研究复合材料界面行为和高温下金刚石颗粒的石墨化机理，探索增强界面结合、降低界面热阻和抑制金刚石石墨化的途径；通过金刚石颗粒注射成形流动充模规律、预成形坯孔隙演化规律以及气相硅反应渗透过程的研究，建立金刚石预成形坯的组织与尺寸精确控制理论，揭示Diamond/SiC复合材料的致密化机理，为发展高性能Diamond/SiC复合材料零件的近终形成形技术奠定理论和技术基础。研究成果对于促进Diamond/SiC复合材料的应用，满足先进武器装备和现代电子工业发展需要具有重要意义。