针对LED芯片用半导体基片加工存在的瓶颈问题，申请项目提出了一种微细粒度金刚石研磨盘制备新方法，并以单晶SiC和蓝宝石基片材料为加工对象，深入研究新型研磨盘制备、修整、以及研磨加工过程中的相关科学与技术问题。构造并实施理想研磨条件，揭示两种半导体材料在该研磨条件下的表现行为与表面生成机制。研究新型研磨盘的最佳工作状态及其在加工过程中的演变规律。揭示研磨过程中研磨盘/工件界面行为与调控机制，建立定量描述新型研磨盘加工单晶SiC和蓝宝石基片材料的模型，为实现单晶SiC和蓝宝石基片高效低损失加工提供依据。项目的完成对推动我国LED芯片制造和金刚石工具制造技术进步具有明确的现实意义。
