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SON构造制备及其在集成气压传感器上的应用项目摘要

2022/07/1696 作者:佚名
导读:单晶硅片上刻蚀出微小沟槽后在非氧环境下高温加热,能得到真空腔体和单晶硅膜,这种构造称为SON(Silicon on nothing)。本项目拟从SON构造的制备入手,解决制作工艺中的一些关键问题,将此SON构造的制备方法应用到压力传感器的开发中,不需气密性封装就能制作出绝压式、差压式共有的多压力传感器集成的气压传感器芯片系统,实现多范围、高灵敏度的压力测量,同时实现绝对压力和相对压力,静态压力和动

单晶硅片上刻蚀出微小沟槽后在非氧环境下高温加热,能得到真空腔体和单晶硅膜,这种构造称为SON(Silicon on nothing)。本项目拟从SON构造的制备入手,解决制作工艺中的一些关键问题,将此SON构造的制备方法应用到压力传感器的开发中,不需气密性封装就能制作出绝压式、差压式共有的多压力传感器集成的气压传感器芯片系统,实现多范围、高灵敏度的压力测量,同时实现绝对压力和相对压力,静态压力和动态压力的共测,开辟SON结构在集成电路制作领域以外的应用先例。开发具有自主知识产权的气压传感器。

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