单晶硅片上刻蚀出微小沟槽后在非氧环境下高温加热，能得到真空腔体和单晶硅膜，这种构造称为SON（Silicon on nothing）。本项目从SON构造的制备入手，解决制作工艺中的一些关键问题，将此SON构造的制备方法应用到压力传感器的开发中，不需气密性封装就能制作出绝压式、差压式共有的多压力传感器集成的气压传感器芯片系统，实现多范围、高灵敏度的压力测量，同时实现绝对压力和相对压力，静态压力和动态压力的共测，开辟SON结构在集成电路制作领域以外的应用先例，开发具有自主知识产权的气压传感器。该课题在关于SON构造成形机理方面取得一定的创新性成果，并自制SON构造制备装置，为SON构造制作及基于SON的压力传感器或其他类型传感器的制作开发具有重要的指导意义和应用价值。
