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俄歇电子电子的非弹性碰撞自由程

2022/07/16201 作者:佚名
导读:俄歇电子在样品内产生,携带有样品原子的特征信息, 在逸出表面之前,若和样品原子发生了各种非弹性散射过程(包括单电子激发和电离,等离子激发, 声子激发等)而改变了原有动能值,则其携带的信息将丢失。由此,只有那些在逸出表面前未发生非弹性碰撞的电子才是有意义的 。 由于常用的俄歇电子的能量均在 2keV 以下,因此大致上只有在表面 2nm 深度范围内发射的俄歇电子才能不改变原携带的信息而逸出体外。这就是

图2 非弹性碰撞平均自由程和电子动能关系 俄歇电子在样品内产生,携带有样品原子的特征信息, 在逸出表面之前,若和样品原子发生了各种非弹性散射过程(包括单电子激发和电离,等离子激发, 声子激发等)而改变了原有动能值,则其携带的信息将丢失。由此,只有那些在逸出表面前未发生非弹性碰撞的电子才是有意义的 。

由于常用的俄歇电子的能量均在 2keV 以下,因此大致上只有在表面 2nm 深度范围内发射的俄歇电子才能不改变原携带的信息而逸出体外。这就是俄歇谱仪之所以表面灵敏的原因。值得指出的是,以上讨论也适用其它过程产生的电子,如 X 光电子谱仪的情况。

*文章为作者独立观点,不代表造价通立场,除来源是“造价通”外。
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