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光致变色型材料简介

2022/07/16189 作者:佚名
导读:典型无机体系的光致变色效应伴随着可逆的氧化-还原反应,如WO3为半导体材料,其变色机理可用1975年由Faughnan提出的双电荷注入/抽出模型解释,即在紫外光照射下,价带中电子被激发到导带中,产生电子空穴对,随后光生电子被W(VI)捕获,生成W(V),同时光生空穴氧化薄膜内部或表面的还原物种,生成质子H ,注入薄膜内部,与被还原的氧化物结合生成蓝色的钨青铜HxWO3。

典型无机体系的光致变色效应伴随着可逆的氧化-还原反应,如WO3为半导体材料,其变色机理可用1975年由Faughnan提出的双电荷注入/抽出模型解释,即在紫外光照射下,价带中电子被激发到导带中,产生电子空穴对,随后光生电子被W(VI)捕获,生成W(V),同时光生空穴氧化薄膜内部或表面的还原物种,生成质子H ,注入薄膜内部,与被还原的氧化物结合生成蓝色的钨青铜HxWO3。

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