多晶硅超声波清洗加工设备，可广泛用于IC生产及半导体元器件生产中晶片的湿法化学工艺。该设备可有效去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破坏晶片表面特性。
炉前（RCA）清洗：扩散前清洗
光刻后清洗：除去光刻胶。
氧化前自动清洗：氧化前去掉硅片表面所胡的沾污物。
抛光后自动清洗：除去切、磨、抛的沾污。
外延前清洗：除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。
合金前、表面钝化前清洗：除去铝布线后，表面杂质及光胶残渣。
离子注入后的清洗：除去光刻胶，SiO2层。
扩散预淀积后清洗：除去预淀积时的BSG和PSG。
CVD后清洗：除去CVD过程中的颗粒。
附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物。
