大容量编码的声表面波射频标签在远场区将产生无法补偿的衍射损耗。衍射效应还造成反射回波包络与载波相位的畸变，导致解码误差增加，编码效率降低。利用格林函数结合边界元精确模型，以YZ-铌酸锂基片上稀疏电极的体波散射机理研究为基础，通过改变短反射栅中电极结构和间距进行慢切变波和体纵波的分别干涉、抵消，达到体波散射抑制快于反射率下降的目的，从而构造出反射-散射比至少大于1.4的短反射栅，使YZ-铌酸锂成为实用的声表面波射频标签基片材料。本研究方案能有效地抑制器件中的衍射效应，从而为设计出编码容量满足相关国际标准的声表面波射频标签奠定基础。
