碳化硅射频功率器件具有体积小、质量轻、耐高温、功能强大、匹配简单等优点，有望在射频功率领域发挥巨大作用。由于材料特性及工艺水平的限制，普通的4H-SiC MESFET器件中出现陷阱效应和电流不稳定等不利因素，限制了器件的性能和发展前景。针对以上问题，本项目提出对新型结构碳化硅金属-半导体接触场效应晶体管（4H-SiC BG-BCMESFET）的研究，利用新的器件结构抑制陷阱效应，改善器件特性，实现碳化硅器件在射频功率应用领域的突破。主要研究内容围绕建立器件模型、探索器件工艺、优化匹配设计、实现功率封装等开展，完成芯片设计和仿真评估，并投片验证设计结果。
