根据控制形核的原则，如果以旋转椭球体形式的择优晶体一旦完全磁化到饱和，那么在所采用的反向磁场中，原则上根本不出现磁畴。由于这种条件是均匀的整体材料，所以就转换行为而言，转动将连续进行并且任何尺寸的晶体都将是“单畴粒子”。对于具有高单轴各向异性的球状晶体和平行于易磁化轴的外加磁场说来，转换场或矫顽力将始终为2K/I，在实际尺寸的晶体中，反向发生在比这个各向异性场低得多的磁场中，这一很普通的观测结果其本身就是形核的证据，这即意味着形核与外形或内部结构的缺陷有关。

不太容易弄清的是在哪种材料或样品中涉及到形核，高矫顽力同磁畴的形核肯定有密切联系的一种材料是钇正铁氧休，其形式为直径方1毫米的单轴单晶体，此时，多畴有最低的能量分市。此外，这种样品可以作为永久磁铁应用，即用于靠晶体产生的转矩来测量磁场的仪表中。低值饱和磁化强度对于高磁场测量效果较小，很重要的性质是具有极高的K/I比值，这就保证磁化强度实际上不受被测磁场的影响，而造成线性比例的增加。

Sherwood等(1959 )指出，尽管在退磁的钇正铁氧体中实质上在1奥斯特的磁场下就产生了畴壁移动，但是在饱和后，1000奥斯特的磁场对无应力的良好晶体的磁化强度只有很小的作用。 成核和反磁化需要超过2000奥斯特的磁场，但是由于研磨晶体表面和由此引起的缺陷和应力可以使这种矫顽力大大降低。可以料想，任何一个晶体的矫顽力正好具有两个特定的数值：较小磁滞迥线的数值相应于畴壁矫顽力(H_m) ，而较大磁滞迥线的数值相应于形核场(H_n)。 因此，在不断增加磁场时，矫顽力将不连续地从H_w增加到H_n，当所用磁场的幅度达到与完全饱和相应的数值(H_s)时，此后矫顽力将保持不变。