对纳米元器件的电测量——电压、电阻和电流——都带来了一些特有的困难，而且本身容易产生误差。研发涉及量子水平上的材料与元器件，这也给人们的电学测量工作带来了种种限制。在任何测量中，灵敏度的理论极限是由电路中的电阻所产生的噪声来决定的。电压噪声[5]与电阻的方根、带宽和绝对温度成正比。高的源电阻限制了电压测量的理论灵敏度[6]。虽然完全可能在源电阻抗为1的情况下对1V的信号进行测量，但在一个太欧姆的信号源上测量同样的1V的信号是现实的。即使源电阻大幅降低至1，对一个1V的信号的测量也接近了理论极限，因此要使用一个普通的数字多用表（DMM）进行测量将变得十分困难。 除了电压或电流灵敏度不够高之外，许多DMM在测量电压时的输入偏移电流很高，而相对于那些纳米技术[7]常常需要的、灵敏度更高的低电平DC测量仪器[8]而言，DMM的输入电阻又过低。这些特点增加了测量的噪声，给电路带来不必要的干扰，从而造成测量的误差。

系统搭建完毕后，必须对其性能进行校验，而且消除潜在的误差源。误差的来源可以包括电缆、连接线、探针[9]、沾污和热量。