当栅极-发射极并接零点位、集电极接正电位时，处于截止状态。由于结两边的掺杂在外延层一边是均匀的，而在p阱的一边为离子注入形成的高斯分布，而且掺杂浓度比外延层高，所以，据PN结理论，随着集电极-发射极电压的增大，结耗尽区（空间电荷区）主要向外延层一边扩展。结空间电荷区扩展的结果将是相邻p阱的空间电荷区相连，这时，承受了几乎全部的集电极-发射极电压。

反之，如果，集电极接零电位，栅极-发射极短路接高电位，器件是不导通的，此状态称为反向截止状态，一般，在直流或电压源逆变器应用中，并不需要反向阻断特性，这使得人们在实际中着重对器件正向击穿电压的设计和优化。

工作于放大状态的三极管，其发射结是正向偏置的，集电结是反向偏置的，管子有电流放大作用。当输人信号过大或偏置过大，使得流过发射结的正向电流过大，结上功率损耗过多面将发射结烧坏。输人信号偏大或偏置偏高，虽尚未造成发射结烧坏，但经管子的电流放大作用，使得流过集电结的集电极电流过大，集电结功率损耗过多面将集电结烧坏。