随着器件工作温度的上升，击穿电压逐渐升高。温度由300K上升到350K时，器件的临界击穿电压K增加了将近200V；温度升高到450K时，器件的临界击穿电压圪增加了将近400V。对这种增加关系所做的一种简单的微观解释为：强场下通过耗尽层的热载流子在走过每个电子．声子平均自由程入后，有部分能量损失给了光学声子。入值随温度的增加而减少，因此，在恒定电场下沿给定距离行进的载流子有更多的能量损失给晶格，从而载流子在能够获得足够的能量产生一个电子、空穴对之前，必须通过较大的电势差。较大的电势差，说明需要较高的电压，因此击穿电压会随温度升高而增加。
平面工艺是制造各种半导体器件与集成电路的基本工艺技术。弯曲的部分使得形成了柱面结和球面结结构，而这两种结结构的曲率半径都很小(特别是浅结结构时)，对于高压大功率器件，加上偏压时，该处的电场集中严重，使得该区域的击穿电压低于器件体内击穿电压。在结终端弯曲处的电场线密集，电场强度比其它区域要高出很多。场强越高，碰撞电离就越容易发生，击穿也就越容易发生。
界面态指的是半导体和氧化物界面上的表面态。界面电荷能够引起耗尽区收缩，加剧了主结边缘区域的电场集中。 2100433B
