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氧化物薄膜晶体管高迁移率氧化物半导体材料的开发

2022/07/16129 作者:佚名
导读:近年来,在消费者更好的观看体验要求的驱动下,对显示器画质的要求越来越高。对显示器而言,分辨率和帧频是其主要参数,其中分辨率代表显示器像素的多少,帧频则表示显示器在每一秒内显示的图像的数量。显然,高分辨率、高帧频下更易获得更好的观看体验。分辨率为1024×768的AMLCD像素,以行扫描方式为例,在每一帧内某一行像素的选通阶段内,TFT器件需对像素电容完成充电。 因此,随着分辨率的提高,选通时间减少

近年来,在消费者更好的观看体验要求的驱动下,对显示器画质的要求越来越高。对显示器而言,分辨率和帧频是其主要参数,其中分辨率代表显示器像素的多少,帧频则表示显示器在每一秒内显示的图像的数量。显然,高分辨率、高帧频下更易获得更好的观看体验。分辨率为1024×768的AMLCD像素,以行扫描方式为例,在每一帧内某一行像素的选通阶段内,TFT器件需对像素电容完成充电。

因此,随着分辨率的提高,选通时间减少,这就要求TFT能提供更大的驱动电流以完成对电容的充电。同样,随着帧频的提高,对TFT的电流驱动能力要求也越来越高。迁移率是衡量TFT电流驱动能力的关键参数,不同分辨率和帧频下各TFT技术可满足显示要求的情况 。

以非晶铟镓锌氧(a-IGZO)为代表的主流金属氧化物TFT迁移率(一般< 30cm2/Vs)虽然可以满足4K×2K等高清显示器的要求,但是随着分辨率和帧频的不断提高,更高迁移率(> 30cm2/Vs)的新型氧化物半导体材料的开发将成为必须。

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