利用激光辐照实现蓝宝石与GaN外延片界面处纳米级GaN的分解，以此来实现蓝宝石与GaN外延片的分离，获得具有纳米级粗糙度GaN表面以及可以重复利用的蓝宝石衬底。通过研究激光功率密度、光斑形状、扫描轨迹、键合状态以及GaN外延片结构等参数对剥离样品的影响，并结合理论模拟结果，寻找获得晶体完整、表面平整、均匀性好的激光剥离工艺条件，实现激光剥离GaN表面纳米级平整度的控制。结合晶片键合技术，将LED转移至高电导率、热导率的衬底上，可以实现GaN基转移衬底LED的制作，从而解决GaN基大功率LED效率、散热及成本的瓶颈，为加快半导体照明产业化进程做出贡献。另外，利用激光剥离技术，还可以研制GaN基垂直腔面发射激光器（VCSEL）及共振腔发光二极管(RCLED)等新型、高性能器件，为GaN基发光器件开辟新的应用领域。
