前言
第一章 常用半导体器件．
第一节 半导体的基本知识
第二节 半导体二极管
材料分有锗、硅或砷化镓；按结构分有点接触、pn结、pin、肖特基势垒、异质结；按原理分有隧道、变容、雪崩和阶跃恢复等。主要用于检波、混频、参量放大、开关、稳压、整流等。光通信发展后，出现发光、光电、雪崩光电、pin光电、半导体激光等二极管。
半导体二极管
二极管的伏安特性 阳极：由P区引出的电极为阳极。
阴极：由N区引出的电极为阴极。
点接触型二极管，通过的电流小，结电容小，适用于高频电路和开关电路。
面接触型二极管，结面积大，电流大，结电容大，适用于低频整流电路。
平面型二极管，结面积较大时可以通过较大电流，适用于大功率整流，结面积较小时，可作为数字电路中的开关管。
开启电压Uon ：使二极管开始导通的临界电压称为开启电压Uon。
反向电流：当二极管所加反向电压的数值足够大时，产生反向电流为IS。
在环境温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下。如图所示。
温度每升高1°C，正向压降减小2~2.5mV；温度每升高10°C，反向电流约增大一倍。
结论：二极管对温度很敏感。
第三节 半导体三极管
半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
三极管的基本结构是两个反向连结的PN结面，如图1所示，可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极（emitter,E）、基极（base,B）和集电极（collector,C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号，发射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体， 和二极体的符号一致。在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。
三极管的电特性和两个pn结面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里 我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”（forward active），在此区EB极间的pn接 面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管 都以此方式偏压。图2(a）为一pnp三极管在此偏压区的示意图。EB接面的空乏区由于正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的空穴会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大， 故本身是不导通的。图2(b）画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，空穴和电子的电位能的分布图。三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例， 射极的空穴注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。当没有被复合的空穴到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，空穴在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。IC的大小和BC间反向偏压的大小 关系不大。基极外部仅需提供与注入空穴复合部分的电子流IBrec，与由基极注入 射极的电子流InBE（这部分是三极管作用不需要的部分）。InB E在射极与与电 洞复合，即InB E=IErec。pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地 在图3(a）中看出。 射极注入基极的空穴流大小是由EB接面间的正向偏压大小来控制，和二极体的情形类似，在启动电压附近，微小的偏压变化，即可造成很大的注入电流变化。更精确的说，三极管是利用VEB（或VBE）的变化来控制IC，而且提供之IB远比IC小。npn三极管的操作原理和pnp三极管是一样的，只是偏压方向，电流方 向均相反，电子和空穴的角色互易。pnp三极管是利用VEB控制由射极经基极，入射到集电极的空穴，而npn三极管则是利用VBE控制由射极经基极、入射到集电极的电子。三极管在数字电路中的用途其实就是开关，利用电信号使三极管在正向活性区（或饱和区）与截止区间切换，就开关而言，对应开与关的状态，就数字电路而言则代表0与1（或1与0）两个二进位数字。若三极管一直维持偏压在正向活性区，在发射极与基极间微小的电信号（可以是电压或电流）变化，会造成射极与集电极间电流相对上很大的变化，故可用作信号放大器。
第四节 场效应管
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低
第五节 其他半导体器件
本章小结
思考题与习题
第二章 放大电路基础
第一节 共发射极基本放大电路
第二节 波形的失真和静态工作点的稳定
第三节 阻容耦合多级放大电路
第四节 场效应管放大电路
第五节 放大电路中的负反馈
第六节 功率放大电路
本章小结
思考题与习题
第三章 正弦波振荡电路
第一节 正弦波振荡电路的振荡条件
第二节 LC振荡电路
第三节 RC振荡电路
第四节 石英晶体振荡器
本章小结
思考题与习题
第四章 集成运算放大器
第一节 差动放大器
第二节 集成运算放大器简介
第三节 集成运算放大器的线性应用
第四节 集成运算放大器的非线性应用
本章小结
思考题与习题
第五章 直流电源
第一节 整流电路
整流电路（rectifying circuit）把交流电能转换为直流电能的电路。大多数整流电路由变压器、整流主电路和滤波器等组成。它在直流电动机的调速、发电机的励磁调节、电解、电镀等领域得到广泛应用。整流电路通常由主电路、滤波器和变压器组成。20世纪70年代以后，主电路多用硅整流二极管和晶闸管组成。滤波器接在主电路与负载之间，用于滤除脉动直流电压中的交流成分。变压器设置与否视具体情况而定。变压器的作用是实现交流输入电压与直流输出电压间的匹配以及交流电网与整流电路之间的电隔离。
整流电路的作用是将交流降压电路输出的电压较低的交流电转换成单向脉动性直流电，这就是交流电的整流过程，整流电路主要由整流二极管组成。经过整流电路之后的电压已经不是交流电压，而是一种含有直流电压和交流电压的混合电压，习惯上称单向脉动性直流电压。
第二节 滤波电路
第三节 稳压电路
本章小结
思考题与习题
第六章 晶闸管可控整流电路
第一节 晶闸管
第二节 可控整流电路
第三节 晶闸管的保护电路
第四节 晶闸管的简易触发电路
本章小结
思考题与习题
第七章 数字电路基础
第一节 脉冲信号
第二节 数制转换
第三节 晶体管的开关作用
第四节 逻辑门电路
第五节 逻辑代数
本章小结
思考题与习题
第八章 组合逻辑电路
第一节 组合逻辑电路的分析与设计
第二节 加法器
第三节 编码器
第四节 译码器
第五节 数据选择器和数据分配器
本章小结
思考题与习题
第九章 触发器
第一节 RS触发器
第二节 JK触发器
第三节 D触发器
第四节 触发器逻辑功能的转换
第五节 555定时器及其应用
本章小结
思考题与习题
第十章 时序逻辑电路分析
第一节 时序逻辑电路的分析方法
第二节 寄存器
第三节 计数器
本章小结
思考题与习题
第十一章 模拟量与数字量的转换
第一节 数一模转换器
第二节 模一数转换器
本章小结
思考题与习题
附录 常用半导体器件的型号和主要参数
参考文献2100433B
