随着版图的特征尺寸不断缩小，尤其是在20nm及以下节点，193nm浸没式光刻机已经达到了分辨率极限。尽管采用了先进的SMO和OPC，版图上仍然有一些难以解决的坏点。为了解决这一问题，从改变设计尺寸的角度，开发出了一种新的光刻优化方法。该方法基于光刻优化仿真反馈的信息，重新定义相应的版图设计规则。这种新型的智能化优化方法被称为版图设计规则的优化（design rule optimization, DRO）。
DRO同步进行目标图形、光源、掩模图形，以保证整体工艺窗口最大。DRO的最终优化结果包括版图设计规则相关参数、目标图形、更新后的测量参数、优化后的光源和掩模图形组成。DRO还有另外一个独特的优势，就是设计优化的过程中不需要增加器件尺寸，保证了芯片的尺寸尽可能小的初衷 。
