针对现有的纳米尺度CMOS工艺偏差检测方法空间分辨率低、速度慢、成本高、难以在线检测等问题，本课题提出一种新的、可同时测量多种工艺参数偏差的检测电路及检测方法，通过研究纳米尺度晶体管阈值电压、漏电流、节点电压、温度、饱和电流和延时等工艺参数相互之间的影响关系，针对参数偏差而非参数绝对值设计新的偏差分布检测电路，以研究解决高空间分辨率和在线检测所必需的要求单个测试点测试电路面积足够小、设计简单、结果易输出的问题；提出通过多次施加不同种类和大小的激励，检测多种相互影响的工艺参数偏差响应的方法，并根据各种参数的相互影响关系，研究解决如何从检测数据中推导出工艺偏差分布的问题。本研究为纳米尺度高空间分辨率在线监测提供了一种全新、高效的检测方法，将对半导体新工艺的开发与成熟应用起到重要的推动作用。研究团队坚实的前期研究基础和多学科交叉的优势是本课题顺利开展和完成的保障。
